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压延铜箔在石墨烯薄膜领域的应用
2026-09-16 23:58:58
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楷德铜业（KDu）表面高洁净铜箔残油量≤1.0mg/m²，粗糙度≤0.15μm，颗粒≤10个/m²，是CVD法制备石墨烯薄膜的理想基底。
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应用概述： 楷德铜业（KDu）表面高洁净铜箔残油量≤1.0mg/m²，粗糙度≤0.15μm，颗粒≤10个/m²，是CVD法制备石墨烯薄膜的理想基底。
核心参数与优势：
Dyne值≥44–48dyn/cm，水滴接触角≤25° 厚度公差±3%，表面无油污、无颗粒 抗拉强度高，延伸率适中，适应转移工艺
应用价值： 光学级平整基底减少石墨烯缺陷；高洁净表面避免针孔；厚度均匀保证生长一致性；机械强度适应转移张力。
FAQ：
Q：石墨烯生长对铜箔有何要求？
A：需低粗糙度、高洁净、无颗粒，楷德表面高洁净铜箔粗糙度≤0.15μm，颗粒≤10个/m²。Q：铜箔厚度是否可定制？
A：可定制12μm–35μm超薄铜箔，满足不同CVD工艺需求。
